率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压
2018-07-10 10:03
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制
2024-01-29 07:41
MOSFET的驱动电流 按I=Qg/td(on)+tr和I=Qg/td(off)+tf算下来的电流区别还很大,I=Qg/Ton,这边的Ton是按什么算?求指教
2018-12-29 09:25
功率MOSFET的电流感知有哪几种方法？SenseFET方法检测电流的工作原理是什么？影响电流检测准确性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16
功率MOSFET管的电流值有哪几种？如何去选取这些电流值呢？这些电流值又是如何影响系统的呢？
2021-09-08 08:00
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
和Flyback等电路（对MOSFET体二极管没有要求），因为LLC电路工作过程中，MOSFET的体二极管要参与大电流的过程，因此LLC电路中的MOSFET对体二极管参
2019-09-17 09:05
时，初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时，次级二极管导通，初级电感Lp两端的电压被箝位
2018-10-10 20:44
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOSFET的例子。能否帮我
2024-07-31 06:41
