新思科技公司日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的
2013-01-09 12:11
据外媒最新报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片! 据悉，三星的3n
2021-07-01 15:27
三星电子有限公司使用Cadence统一数字流程，从RTL到GDSII，成功实现了20纳米测试芯片的流片
2011-07-27 08:47
据行业内部可靠消息，三星已成功完成了其先进的3nm移动应用处理器（AP）的设计，并通过自家代工部门实现了这一重要产品的首次流片
2024-05-09 09:32
正式流片（Tape Out）。一直以来，三星与台积电一直在先进工艺上竞争，据介绍，与5nm制造工艺相比，
2021-07-02 11:21
三星的3nm工艺节点采用的GAAFET晶体管是什么？
2019-05-17 15:38
16日，三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展，包括7nm批量生产和6nm客户流片，以及成功完成5nm FinFET
2019-04-18 15:48
新思科技经认证的多裸晶芯片系统设计参考流程和安全的Die-to-Die IP解决方案，加速了三星SF 5/4/3工艺和I-Cube及X-Cube技术的设计和流
2023-09-14 09:38
据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around（GAA）工艺的片上系统（SoC），预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24
基于台积公司N3E工艺技术的新思科技IP能够为希望降低集成风险并加快首次流片成功的芯片制造商建立竞争优势
2023-08-24 17:37
