新思科技公司日前宣布:该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑,即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的
2013-01-09 12:11
据外媒最新报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片! 据悉,三星的3n
2021-07-01 15:27
三星电子有限公司使用Cadence统一数字流程,从RTL到GDSII,成功实现了20纳米测试芯片的流片
2011-07-27 08:47
Storage(OCS)”,容量也比原来格子状排列时增大1.57倍。OSC是三星已在此前工艺中导入的技术。Air Spacer技术是最近经常采用的通过在电极及布线周围设置空隙来减小寄生电容的技术。三星表示通过该技术
2015-12-14 13:45
据行业内部可靠消息,三星已成功完成了其先进的3nm移动应用处理器(AP)的设计,并通过自家代工部门实现了这一重要产品的首次流片
2024-05-09 09:32
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2021-08-20 19:11
正式流片(Tape Out)。一直以来,三星与台积电一直在先进工艺上竞争,据介绍,与5nm制造工艺相比,
2021-07-02 11:21
三星的3nm工艺节点采用的GAAFET晶体管是什么?
2019-05-17 15:38
16日,三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展,包括7nm批量生产和6nm客户流片,以及成功完成5nm FinFET
2019-04-18 15:48