业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI
2018-11-06 13:41
，包括综合、约束、布局布线、下载编程等。智多晶的芯片使用自主研发的FPGA开发软件“HqFpga”, 完成综合、布局布线、时序分析、配置编程和片内逻辑分析。智多晶的Seal 5000系列FPGA芯片，在
2020-06-03 09:32
厂用电设备：发电厂单晶硅、多晶硅（使用广泛）、薄膜光伏电池；光伏离网逆变器与光伏并网逆变器。光伏器件转换效率和成本。
2019-05-23 06:42
在高科技的多晶硅价值链中，位于德国的安奕极能源系统公司多年来一直是领先的卓越高电流供电服务供应商。安奕极的经验横贯整个价值链，从用于多晶硅沉淀程序的CVD反应器供电开始，到晶体形成的电力供应，晶片
2021-11-16 06:57
可控硅元件一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称
2008-08-12 08:50
` 硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程
2011-09-07 10:42
1 装置不定期烧逆变硅。此故障一般是过流过压系统出问题造成的。应着重检查5/0.1电流互感器和中频电压互感器的内部绕组是否断路。因为线径较细容易受环境不良气体腐蚀造成断线。其结果使过流限流过压限压
2013-09-25 10:18
` 目前，在设计中使用的主要有3种电阻器：多晶硅、MOS管以及电容电阻。在设计中，要根据需要灵活运用这3种电阻，使芯片的设计达到最优。 1、MOS管集成电路的性能及特点 1、功耗低MOS管
2019-01-07 14:58
双向可控硅的应用设计原理
2012-08-13 14:27
高阻硅材料进口半导体单晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直径1～8寸的单抛硅片、双抛硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，异型硅片，电阻率30000Ω.Cm，详细参数来电咨询，也可根据用户要求生产。欢迎垂询，*
2018-01-22 11:49
