低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。
2019-09-18 09:11
18914951168求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00
%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶
2011-12-02 14:30
为什么多晶硅栅上还要再摞一层钨？不用不行吗？ 求大虾指点
2012-01-12 17:22
加工工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。美国加州大学Berkeley分校的传感器与执行器研究中心（BSAC）首先完成了三层多晶硅表面MEMS
2018-11-05 15:42
层，该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构，并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于产生平面内力并以电容方式检测平面内运动。这种MEMS范例使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车
2021-01-05 10:33
SiO2，因为SiO2可以与硅衬底形成非常理想的Si-SiO2界面。如图1.13(a)所示，是最初铝栅的MOS管结构图。 2、多晶硅栅MOS管 随着MOS器件的特征尺寸不断缩小，铝栅与源漏扩散区的套刻
2018-11-06 13:41
***求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01
，数值小于1 × 10 －3 /℃，电阻温度系数可小于2 × 10 －4 /℃。因此，在牺牲层结构压力传感器上，采用多晶硅纳米薄膜作应变电阻，可以提高灵敏度，扩大工作温度范围，降低温度漂移。然而，牺牲层
2018-11-05 15:27
在高科技的多晶硅价值链中，位于德国的安奕极能源系统公司多年来一直是领先的卓越高电流供电服务供应商。安奕极的经验横贯整个价值链，从用于多晶硅沉淀程序的CVD反应器供电开始，到晶体形成的电力供应，晶片
2021-11-16 06:57
