低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。
2019-09-18 09:11
18914951168求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00
为什么多晶硅栅上还要再摞一层钨？不用不行吗？ 求大虾指点
2012-01-12 17:22
%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
2011-12-02 14:30
SiO2，因为SiO2可以与硅衬底形成非常理想的Si-SiO2界面。如图1.13(a)所示，是最初铝栅的MOS管结构图。 2、多晶硅栅MOS管 随着MOS器件的特征尺寸不断缩小，铝栅与源漏扩散区的套刻
2018-11-06 13:41
加工工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。美国加州大学Berkeley分校的传感器与执行器研究中心（BSAC）首先完成了三层多晶硅表面MEMS
2018-11-05 15:42
***求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01
，数值小于1 × 10 －3 /℃，电阻温度系数可小于2 × 10 －4 /℃。因此，在牺牲层结构压力传感器上，采用多晶硅纳米薄膜作应变电阻，可以提高灵敏度，扩大工作温度范围，降低温度漂移。然而，牺牲层
2018-11-05 15:27
率达80%以上的多晶硅TFT有源矩阵，即P-TFT-LCD。多晶硅的电子迁移率比非晶硅的 电子迁移率高一个数量级，因此器件可以作小一些，开口率自然高。而且，由于电子迁移
2018-11-16 16:08
。栅介质材料采用SiO2，因为SiO2可以与硅衬底形成非常理想的Si-SiO2界面。如图1.13（a）所示，是最初铝栅的MOS管结构图。图1.13铝栅和多晶硅栅的MOS管结构图1.2
2018-09-06 20:50
