通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料
2023-02-14 09:16
)，以及氧化物陶瓷基复合材料(Al2O3f/Al2O3、Al2O3f/Al2O3-SiO2、
2023-05-18 16:39
力敏材料，也称为压电材料，是一类能够将机械应力转换为电信号或将电信号转换为机械应力的材料。这种特性使得力
2024-09-25 09:56
AlN是最流行的用于制备滤波器件的压电薄膜材料，通常采用溅射方法制备。但是，溅射的AlN薄膜是特定取向的（多晶）材料，并且压电薄
2019-01-25 16:30
该研究首次应用紫外光辅助原子层沉积（UV-ALD）技术于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉积Al2O3薄膜在石墨烯场效应晶体管（GFETs）中的应用。在ALD过程中进行5秒最佳紫外照射，导致在石墨烯表面上沉积出更
2023-08-16 15:52
近日，中科院上海光机所高功率激光元件技术与工程部吴卫平研究员团队采用飞秒激光结合模板法，构筑了内部孔隙精准可控且独立支撑的多孔石墨烯薄膜，在自支撑多孔碳
2023-12-12 11:32
性能是Ga2O3研究的热门话题之一。由于表面是器件中载流子传输和信号捕捉的主要部分，对表面的调控会在很大程度上改变器件的性能。然而，表面作为一个非常薄的有源层，难以实现对其有源通道特性的稳定控制。目前
2024-01-19 15:35
目前国产的气敏元件有2种。一种是直热式，加热丝和测量电极一同烧结在金属氧化物半导体管芯内；另一种是旁热式，这种气敏元件以陶瓷管为基底，管内穿加热丝，管外侧有两个测量极，测量极之间为金属氧化物气
2019-11-26 10:26
本问首先介绍了湿敏电阻结构示意图，其次介绍了湿敏电阻特性用途，最后介绍了湿敏电阻器的检测方法。
2019-11-26 11:17
