外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅
2023-05-31 09:27
采用PowerFill外延硅工艺的电源器件 ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新
2010-01-25 09:17
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18
启用PowerFill外延硅工艺的电源设备 ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新
2010-01-23 08:35
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓
2023-02-05 14:50
CMOS工艺流程介绍1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；2. 开始：Pad ox
2018-03-16 10:40
外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体
2023-02-13 14:35
氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50
本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅锗）作为一种
2024-12-20 14:17
固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33
