VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的,
2009-12-21 10:52
LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39
介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进,以VC.net 为语言工具编制软件,对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能,完善了
2009-12-23 14:33
介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进,以VC.net 为语言工具编制软件,对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能,完善了
2009-05-26 10:23
2023-10-07 16:25
2023-10-12 08:31
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延
2010-01-09 10:39
外延片指的是在村底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型、量子阱、N型三个部分构成。
2023-10-20 17:43
一般来说,GaN 的成长须要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO Gas 会进行反应产生没有挥发性的副产物。 LED 外延片工艺流程如下: 衬底
2017-10-19 09:42
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2011-04-15 18:24