士兰微电子依托于士兰芯片生产线先进的BCD工艺和高压集成电路工艺，发展高效率地待机功耗的AC-DC开发电源产品、LED照明驱动电路、智能功率模块（IPM）、太阳能逆变电
2016-11-19 12:45
SD6620士兰微隔离恒流恒压驱动//代替OB2532AMPQ Q 2892715427 功能描述 外置高压MOS管的原边控制开关电源应用 ；筒灯,吸顶灯SD6620是驱动高压MOS管的原边控制模式
2016-06-04 08:29
士兰微隔离高功率因素SD6802S/SD6804S/SD6807DQ Q2892715427LED设计带PFC的原边控制模式LED驱动控制芯片 描述 SD6802S/SD6804S/SD6807D
2016-05-02 21:09
率直流无刷电机领域。 产品特性> 集成MOSFET前置驱动和三相半桥MOS> 电源电压范围：5V~18V> 输出电流 2A@12V，Rds(on)：0.5Ω(PMOS+NMOS)> 低
2023-03-02 09:41
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
、LED照明系统等。 在国产化进程上华润微、士兰微、新洁能、捷捷微电的MOSFE
2022-06-28 10:26
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
