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    作者报告了采用CMOS兼容制造工艺制造的15 µm直径的锗硅(GeSi)SPAD,并在室温下对其进行表征,以证明其高性能。作者定义了噪声等效功率(NEP)以对文献中报道的SPAD进行基准测试。

    2024-02-25 14:26

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    2023-03-15 11:29

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    2023-02-27 14:37

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    2019-09-29 14:46