MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
2024-10-29 10:45
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对
2022-12-22 15:59
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确
2024-11-11 17:21
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
随着发展挑战的不断发展，电力行业将找到满足相应要求的方法。一种解决方案在单个单片芯片中集成了先进的开关MOSFET（稳压器的主要构建模块）及其相应的驱动器，从而实现紧凑高效的功
2023-02-01 14:58
本文介绍最新的驱动器加MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统在功率密度、效率和热性能方面得到极大改善，从而可
2022-12-13 13:48
大功率报警驱动器 在该电路中用一只小功率SCR触发一只大功率
2009-09-04 11:13
在DSL应用中考虑线路驱动器的功率要求非常重要。虽然标称功率水平为100mW有效值或小于100Ω的负载似乎不是很多功率，驱动器
2023-01-09 16:46
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于I
2023-01-30 17:17
随着无人机和多电飞机的发展，更高的功率和效率成了机载电机驱动器的主要研究方向之一。现有的Si MOSFET开关速度虽快，但耐压和耐流能力有限，无法实现大功率输出，而IG
2022-04-29 16:34
