承载能力,适用于各种低电压、高电流的电源管理和开关控制应用。其采用先进的 Trench 技术,确保了高效能量转换和稳定性能。### 16N03SC-VB SOP8
2024-07-08 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM90N03-03P-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装形式为TO220。具有高电流承载能力和低导通电阻特性,适用于需要高性能电源管理和开关控制的应用场
2024-12-02 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N03L03-VB MOSFET 产品简介4N03L03-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为T
2024-11-12 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
、详细参数说明- **型号:** AM90N03-03B-VB- **封装:** TO263- **配置:** 单N沟道- **VDS(漏源电压):** 30V- *
2024-12-02 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4N03L03-VB**4N03L03-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有极低的导通电阻和高达120A的漏极电流承载能力,适用于需要高效能量转换
2024-11-12 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号