由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战，GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是，随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良，宇航电源将会得到更大助推。 结合高集成度电源设计，以及优化的宇航
2024-01-05 17:59 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
本期，芯朋微技术团队为各位粉丝分享新一代20-65W GaN快充方案，该方案集当前行业最新控制技术、器件技术、功率封装技术之大成，进一步优化快充方案的待机功耗、市电保护、功率密度、转换效率、输出电压纹波等关键指标，实现技术降本！
2024-08-28 11:33
HMC8500PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 30 dBm 的输入功率下，在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬时带宽上实现 10 W (40 dBm) 输出（典型值），功率附加效率
2025-03-11 10:40
产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器件工艺两大类。
2019-02-03 12:54
衬底上实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分
2023-06-10 09:43
松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15
GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32
HMC1099是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.01 GHz至1.1 GHz时提供>10 W功率、69% PAE，增益平坦度为±0.5 dB（典型值）。 HMC1099非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如无线基础设施、雷达、公共
2025-03-12 15:10
随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS，相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求，晶丰明源通过不断创新，推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。
2023-05-08 14:49
而GaN技术可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸，比如使目前的典型45W适配器设计可以采用25
2019-01-24 14:36
