### 16N50U-VB TO220F MOSFET 产品简介**产品简介：**VBsemi的16N50U-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用了平面技术
2024-07-08 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。A-U25N-P06G-PQ-G 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价格，具体价格请与
2022-12-10 18:15 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 60N745U2G-VB MOSFET 产品简介60N745U2G-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有适中的漏极
2024-11-15 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 12N50U-VB 产品简介12N50U-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V
2024-07-05 16:49 微碧半导体VBsemi 企业号
HMA81GU7DJR8N-XN、HMA81GU7DJR8N-XNT0以及MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是三款高性能的8GB DDR4-3200MHz PC4-25600 ECC
2025-02-14 06:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。A-U50-P00G-PQ-G 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价格，具体价格请与
2022-12-10 18:19 深圳市港禾科技有限公司 企业号
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N
2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**60N900U1G-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，适用于中高压应用场合。具有650V的击穿电压和高达7A的连续漏极电流能力，采用
2024-11-15 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 G450N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 1.7 GHz、功率 450 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签：法兰式
2023-08-17 15:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G250N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 2.2 GHz、功率 250 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签：法兰式
2023-08-17 15:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
