市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏
2023-07-24 16:04
市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏
2019-07-20 11:18
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n
2024-11-09 10:04
用集成运放构成的RC有源滤波器具有输入阻抗高，输出阻抗低，可提供一定增益，截止频率可调等特点。压控电压源型二阶低通滤波电路是有源滤波电路的重要一种，适合作为多级放大器的级联。本文根据实际要求设计一种
2018-06-20 11:57
N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料，它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02
结型场效应管（JFET）栅源极之间的PN结是其核心组成部分之一，对于理解JFET的工作原理和特性至关重要。以下是对该PN结的介绍： 一、PN结的形成与特性 PN结是由P型半导体和
2024-09-18 09:51
N型硅片通常需要更高纯度的硅料，这意味着它们含有的金属杂质较少，这些金属杂质可能会作为复合中心降低少子寿命。
2024-04-25 11:46
增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从
2019-07-06 09:48
Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大于耗尽层的宽度，选用一个较长的
2022-09-07 16:38
本文介绍了N型单晶硅制备过程中拉晶工艺对氧含量的影响。
2025-03-18 16:46
