的应用场合。### 9912J-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 30
2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: 9960J-VB- **封装**: TO251- **配置**: 单通道N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 40V- **栅
2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
。### AP09N20J-HF-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源极电压 (VDS)**: 200V- **
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管(MOSFET),采用先进的沟道技术,具有低导通电阻和高漏极电流特性,适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场
2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、9980J-VB 产品简介9980J-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO251封装,适用于中功率和高功率应用。该器件利用先进的沟槽(Trench)技术,提供优异的导通特性和低
2024-11-26 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号
负载的功率开关和电源管理应用。### AP9912J-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)*
2024-12-26 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
和高可靠性,适合要求高功率密度和效率的电子系统设计。### AP9915J-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO251- **配置**:单N沟道- **漏源电压(
2024-12-26 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号