AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
简介Simco-Ion P-SH-N离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
P-Sh-N-Ex离子棒具有与P-Sh-N相同的特性,P-Sh-N-E离子棒由离子产生器,离子棒,二位一体紧凑组合型静电消除设备,具有UL& ATEX 防爆认证,可在防爆环境在
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
荷兰P-Sh-N 静电消除器 离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大作用距离
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP4816GSM-VB 产品简介AP4816GSM-VB是一款高性能、低导通电阻的半桥N+N通道MOSFET,封装为SOP8。采用先进的Trench技术制造,适用于需要高效能和高可靠性
2024-12-20 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
简介Simco-Ion EP-SH-N离子棒也可用于远距离中和的应用场合,可中和距离远达150 mm的带静电材料,离子棒是无冲击的,每个发射极点与高压电容耦合,离子棒的每个发射点分别与高压电容连接
2021-12-10 15:18 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
一、产品简介:IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号