### AP95T06BGP-VB 产品简介AP95T06BGP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件采用先进的Trench技术，具有高达60V的漏源
2024-12-25 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介9974BGP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造，封装形式为TO220。这款MOSFET在60V的漏源电压（VDS）下运行，栅源
2024-11-26 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号：** 95T06BGP-VB **封装形式：** TO220 **配置：** 单N沟道MOSFET **技术：** Trench
2024-11-25 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9974BGP-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，旨在提供高性能和稳定性。其封装为TO220，适合在需要高电流和低导通电
2024-12-27 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号
