AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值
2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压
2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌
2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TDK电容器C5750X7T2J474KT000N属于2220尺寸类别，即宽度为5.7毫米，长度为5.0毫米，厚度为2.5毫米。该电容器采用X7T型材料，拥有高介电常数和低温度系数。其额定电压为
2024-08-20 16:44 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
