### 产品简介**型号:AP0903GH-HF-VB**AP0903GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有适中的导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为TO252
2024-12-16 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号
0903GM-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±),以及1.7V的阈值电压(Vth)。其在VGS=4.5V时的导
2024-07-04 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP0903GM-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,封装形式为 SOP8。它具有低导通电阻和优秀的开关特性,适合于需要高效能和可靠性
2024-12-16 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP0903GH-VB MOSFET 产品简介AP0903GH-VB 是一款高性能单 N-沟道 MOSFET,设计用于需要高效能管理的电子应用。采用 TO252 封装,具有优异的低 RDS
2024-12-16 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP0903GM-HF-VB 是一款由 VBsemi 生产的单个 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。该产品具有低漏源电压(VDS = 30V)和极低的导通电阻,适合
2024-12-16 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP0903GYT-HF-VB 产品简介AP0903GYT-HF-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件设计用于低电压应用,具备30V的漏源电压(VDS
2024-12-16 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
0903GH-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和1.7V的阈值电压(Vth)。在不同的栅极-源极电压
2024-07-04 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号