### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性,适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造,能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详细:AP9T16J-VB 是一款单路N沟道场效应管,采用先进的Trench技术制造。它适用于中低压电路设计,具有30V的漏极-源极电压(VDS)。该器件在不同的栅极-源极电压
2024-12-27 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装,具备30V的漏源极电压额定值
2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号