- 350V 軸向引線電解電容器（用於音頻、吉他放大、古董收音機等）100uF - 350VHigh quality low leakage tubular
2022-07-05 13:42 华凯电容（深圳）有限公司 企业号
### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo CMD314：直流至10 GHz分布式驱动放大器产品概述Qorvo CMD314是一款高性能的分布式驱动放大器，工作频率范围为直流至10 GHz。该器件专为需要高增益和宽带
2024-10-21 18:45 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
& 規格 電壓：三相380V，50/60Hz，5線(含接地、中性線)外觀尺寸；寬：1780mm。深：1260mm。高：2110mm。適用產品：長波段1000
2023-01-14 10:39 北京宏展仪器有限公司 企业号
TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介详述：AP9T15J-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻，适合于需要高功率密度和高效能
2024-12-27 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
为 TO251，适合在各种电子设备中进行功率控制和能量转换。### AP9918J-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO251- **配置**：单 N 沟道- **漏
2024-12-26 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
电压和中等电流应用设计。其双 N 沟道配置使其在电源管理和开关控制应用中表现优异。APM9948J-VB 提供了高效的开关性能和较低的导通电阻，是各种电子设备中高效
2024-12-31 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
