TQ-L2平行梁称重传感器为单点承载结构，出厂时已通过四角调整，保证其在规定的受载平面内各点输出一致。产品结构简单，使用方便。产品用途：TQ-L2平行梁传感器适用于计价
2021-10-18 14:04 济南泰钦称重传感器工厂店 企业号
TQ-L4平行梁称重传感器为单点承载结构，出厂时已通过四角调整保证其在规定的受载平面内各点输出一致。产品结构形式简单，使用方便。产品用途：TQ-L4平行梁称重传感器适用
2021-10-18 14:27 济南泰钦称重传感器工厂店 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
