XP1080-QU-0N00放大器XP1080-QU 是一款四级 37.0-40.0 GHz 封装的 GaAs MMIC 功率放大器，具有 25.0 dB 的小信号增益和 +38.0 dBm 输出
2022-12-06 20:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
XU1019-QH上变频器MACOM 的 37.0-40.0 GHz GaAs MMIC 集成上变频器具有 7 dB 的典型转换增益和大于 15 dBc 的镜像抑制。它已针对 USB 操作进行了优化
2022-12-28 15:28 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ019N03LS-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术**: 沟槽型
2025-01-10 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC120N03LS G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装。它使用Trench技术，设计用于处理低电压、高电流应用，具备优异的开关性能和低导通电
2025-01-08 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个
2022-12-28 15:31 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**型号：205N10LS-VB**VBsemi的205N10LS-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术。该器件具有高效能、高可靠性、低导通电阻等特点
2024-07-09 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC050N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它提供了良好的电流承载能力和适中的导通电阻，适合用于高效率电源管理和开关
2025-01-08 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC016N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效率和高电流的应用，如电源
2025-01-08 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
