### 产品简介4963NG-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为TO252。它具有低导通电阻、高漏源极电流承载能力和稳定的性能特性，适用于需要高效能量转换
2024-11-12 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
用于要求高效能量管理和高性能开关操作的应用。APM7512NG-VB 的设计目标是提供卓越的电源控制能力和可靠的性能，满足工业和消费电子领域的需求。### 详细参数
2024-12-31 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：4965NG-VB**4965NG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高达100A的漏极电流承载能力，适用于高功率应用和要求高效
2024-11-12 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：4857NG-VB**4857NG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能量
2024-11-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽（Trench）技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252，具备优异的导通特性和热管理
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
