,适合于要求高性能和低导通电阻的应用场合。### 5802NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合于中高功率应用场合。### 5407NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源极
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号:5865NG-VB**- **封装类型:TO252**- **配置:单N沟道**- **漏源电压 (VDS):60V**- **栅源电压 (VGS):±20V**- **
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4965NG-VB**4965NG-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高达100A的漏极电流承载能力,适用于高功率应用和要求高效能
2024-11-12 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4857NG-VB**4857NG-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能量转换和高可靠性的电子
2024-11-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号