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型号：AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs<b class='flag-s-7'>场效应管</b>详 品牌：

AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管详解产品概述AM020MH2-BI-R是一款由AMCOM公司推出的高压GaAs场效应管（FET），属于其HiFET系列。该产品专为高频、高

2024-10-19 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>1010</b>UK 品牌：

UK镀金多用途硅DMOS射频场效应管125W – 28V – 500MHz推拉 配置：推拉包裹：丹麦工作电压：28V功率输出:125W最低效率：60获得：1

2022-06-21 22:29 立年电子科技 企业号

型号：SVT20240NP7 品牌：

供应200v大电流mos管SVT20240NP7场效应管，提供SVT20240NP7场效应管关键参数 ，广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域，更多产品手册、应

2022-06-08 14:22 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：DMD<b class='flag-s-7'>1010</b> 品牌：

;镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP配置：单端工作电压：20V功率输出: 5W最低效率：50获得：13测试频率

2022-06-30 19:39 立年电子科技 企业号

型号：AUF<b class='flag-s-7'>1010</b>EZL-VB 品牌：微碧

的漏源电压 (VDS) 和高达120A的连续漏电流 (ID)。其阈值电压为2.5V，导通电阻仅为6mΩ，在VGS = 10V时表现出极低的导通电阻。AUF1010E

2025-01-02 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SSF65R650S2 品牌：

SSF65R650S2场效应管参数• Multi-Epi process SJ-FET• 700V @TJ = 150 ℃• Typ. RDS(on) = 0.55Ω• Ultra Low

2022-04-25 11:21 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：TTK2837 品牌：

东芝场效应管 TTK2837 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管），具有以下一些特性：• 电流和电压：通常

2024-08-05 16:09 优起辰电子 企业号

型号：AUF<b class='flag-s-7'>1010</b>Z-VB 品牌：微碧

### AUF1010Z-VB 产品简介AUF1010Z-VB 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装在 TO220 封装中。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，能够

2025-01-02 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AUF<b class='flag-s-7'>1010</b>EZS-VB 品牌：微碧

### AUF1010EZS-VB 产品简介AUF1010EZS-VB 是一款单通道N沟道MOSFET，封装为TO263，设计用于高电流和高效能应用。该MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为60V

2025-01-02 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE65NF130F 品牌：

新洁能MOS管NCE65NF130F场效应管  一、General Description The series of devices use advanced

2024-08-15 18:58 东莞市中铭电子 企业号