场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确
2024-08-13 17:08
】 主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装 产品型号：HG160N10L参数：100V 8A，类型：N沟道场效应管，内阻130mR， 封装：贴片
2021-09-27 14:47
在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压(硅管要大0.7V，锗管要大0.3V)而小于集电极电压时，这时
2018-03-18 09:36
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装：SOT23-3 低开启电压0.7V 可免费申请样品和DEMO测试
2022-03-23 11:54
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFE
2023-09-02 10:05
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表16-2 。
2009-08-22 16:01
N沟道结型场效应管（N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Chan
2024-09-23 16:32
