。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由
2011-06-08 10:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-04 17:48
属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几
2013-03-27 16:19
栅极与源极之间需加一负电压（vGS），使栅极、沟道间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现高达107Ω以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压（vDS0），使N沟道
2012-08-13 12:51
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为
2010-11-16 12:28
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流
2021-05-13 06:40
缺点是通态电阻大、导通压降高、耐压和电流容量较难提高等。一、结构特性1、结构原理场效应管有垂直导电与横向导电两种结构，根据载流子的性质，又可分为N沟道和P沟道两种类型v
2018-01-29 11:04
