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型号：AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs<b class='flag-s-7'>场效应管</b>详 品牌：

AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管详解产品概述AM020MH2-BI-R是一款由AMCOM公司推出的高压GaAs场效应管（FET），属于其HiFET系列。该产品专为高频、高

2024-10-19 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>9530NPBF-VB 品牌：微碧

IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -100V- 最大漏极电流 -18A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178m

2023-10-27 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>840APBF-VB 品牌：微碧

型号  IRF840APBF-VB丝印  VBM15R13品牌  VBsemi参数   类型   N沟道场效应管（N-Channel

2023-11-20 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE65NF130F 品牌：

新洁能MOS管NCE65NF130F场效应管  一、General Description The series of devices use advanced

2024-08-15 18:58 东莞市中铭电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>1407PBF 品牌：

MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的条形平面设计，采用了最新的加工技术，以实现每单位硅面积的极低导通电阻。该 HEXFET 功率 MOSFET 的其他

2025-02-28 16:37 深圳市点面线科技有限公司 企业号

型号：NCE65T180F 品牌：

 MOS管650V-N沟道TO-220F MOSFET场效应管-NCE65T180F  一、General Description 

2024-08-17 14:24 东莞市中铭电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>530NS-VB 品牌：微碧

Ω@4.5V, 20Vgs(±V)- 阈值电压(Vth)：1.7V- 封装类型：TO263应用简介：IRF530NS-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，适用于各种

2023-12-21 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>7842TRPBF-VB 品牌：微碧

, 6.5mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)- 阈值电压(Vth)：1.91V- 封装类型：SOP8应用简介：IRF7842TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET晶体管

2023-12-22 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SSF65R650S2 品牌：

SSF65R650S2场效应管参数• Multi-Epi process SJ-FET• 700V @TJ = 150 ℃• Typ. RDS(on) = 0.55Ω• Ultra Low

2022-04-25 11:21 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：TTK2837 品牌：

东芝场效应管 TTK2837 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管），具有以下一些特性：• 电流和电压：通常

2024-08-05 16:09 优起辰电子 企业号