能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出
2021-05-13 06:55
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS
2021-05-13 06:40
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，它是一种垂直导电的双扩散MOS结构，在源极与漏
2018-01-29 11:04
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道
2011-06-08 10:43
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射
2021-05-13 07:42
。 三、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅
2021-05-13 06:13
的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏
2021-05-25 06:58
优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的
2013-03-27 16:19
栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)极限参数 漏、源
2008-08-12 08:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 由于栅极电压被稳压管钳位，当流过场效应管的电流有增大的趋势时，负反馈电阻上的
2012-07-04 17:37
