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30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

描述 EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路

2023-09-17 12:57 腾震粤电子 企业号

MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地

2022-08-01 14:35 深圳市骊微电子科技 企业号

、温度管理等方面都表现出色。它能够适用于多种电子设备，为它们提供稳定可靠的电力支持。 一、产品特点1、集成续流二极管、场效应管、无需外围电品2、高效率3、

2024-03-23 10:42 久宇盛电子 企业号

低频, 高频, 微波, 毫米波, 红外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各种晶体管 ( 又称晶体三极管 ). 晶体管又可以分为双

2022-08-09 16:02 伯东企业（上海）有限公司 企业号

的一系列样值，然后重构波形。 为了保证示波器测量中信号的准确性和完整性，一般需要电压基准源用于维持恒定的输出

2023-11-22 10:44 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

 器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

谐振模式驱动变换器达到高效率。可靠的开/短LED保护是集成的。SY58653内部集成高压功率场效应管进一步节省驱动程序空间。SY58653采用SO8封装。 

2024-10-26 10:54 腾震粤电子 企业号

      实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之—是数字源表(SMU)。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能

2024-06-06 16:19 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号