。 ①场效应管的转移特性曲线 栅极电压（UGs）对漏极电流（ID）的控制作用称为转移特性，反映这两者之间关系的曲线称
2020-12-01 17:36
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏
2021-05-13 06:55
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，
2018-01-29 11:04
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致
2021-05-13 06:40
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极
2018-08-09 17:09
U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能
2009-04-25 15:43
碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和
2009-04-25 15:43
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏
2024-01-30 11:38
极)及D(漏极)，如图1d所示。从图1中可以看出栅极G与漏
2011-12-19 16:52
将上述各种组态的电路进行适当的组合，以构成高性能的放大电路。本章小结 由于结构和工作原理的不同，使得场效应管具有一些不同于三极管的特点，如下表
2011-07-12 20:09
