晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致
2021-05-13 06:40
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以
2021-05-13 06:55
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出
2011-06-08 10:43
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:45 编辑 共集、共基放大电路和场效应管放大电路
2012-08-20 08:58
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、
2019-05-29 06:18
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，它是一种垂直导电的双扩散MOS结构，在源极与漏极之间有一层0.1μm左右的氧化膜
2018-01-29 11:04
的输入电流都比较大，因此，它们的输入电阻都比较小。场效应管放大电路最突出的优点是，共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共射、共集和共基电路的输入电阻。此外，
2011-07-12 20:09
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极
2021-05-13 07:09
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和
2017-05-06 15:56
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和
2008-08-12 08:39
