。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅
2021-05-13 06:13
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射
2021-05-13 07:42
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏
2021-05-13 06:55
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏
2011-06-08 10:43
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和
2021-05-13 06:40
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，它是一种垂直导电的双扩散MOS结构，在源极与漏
2018-01-29 11:04
场效应管与双极型三极管的比较
2012-08-20 08:46
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和
2008-08-12 08:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流
2012-07-04 17:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流
2012-07-05 11:23
