晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致
2021-05-13 06:40
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半
2011-06-08 10:43
的放电速度，随着时间的推移，电容两端电压不断下降，当下降到栅极的阀值电压时，场效应管截止，漏极和源极之间没有电流通过，灯
2021-05-25 07:10
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以
2021-05-13 06:55
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，它是一种垂直导电的双扩散MOS结构，在源极与漏极
2018-01-29 11:04
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、
2021-05-13 07:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门
2012-07-04 17:44
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和
2021-05-13 07:09
。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I
2021-05-13 06:13
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源
2017-05-06 15:56
