，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏
2009-04-25 15:43
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极
2018-08-09 17:09
的放电速度，随着时间的推移，电容两端电压不断下降，当下降到栅极的阀值电压时，场效应管截止，漏极和源极之间没有电流通过，灯
2021-05-25 07:10
场效应管（Field-EffectTransistor）也是一种具有PN结结构的半导体器件，简称FET，它与三极管的不同之处在于它是电压控制器件。通过改变栅极的电压
2020-12-01 17:36
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏
2024-01-30 11:38
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半
2011-06-08 10:43
不会有明显的改变。此时三极管功率基本不变，电流达到饱和，电压降也已经是最小值。 场效应管以N增强型为例，其本质是一个压控电阻，通
2024-01-18 16:34
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流
2019-09-30 09:02
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致
2021-05-13 06:40
EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。二、绝缘栅场效应管1、绝缘栅
2019-05-08 09:26
