什么是漏极,场效应管的结构原理是什么? 漏极 场效应晶体管（
2010-03-04 15:35
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）控制电流大小的原理主要基于其独特的电压控制特性。FET是一种电压控制型半导体器件，通过改变栅极（G
2024-07-23 14:19
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，主要通过改变输入端的电压来控制输出端的电流。
2024-12-09 16:02
场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（
2023-02-17 15:44
场效应管（MOSFET）和金属半导体场效应管（MESFET）。 常见场效应管类型 结型场效应管（JFET） 结型场效应管
2024-12-09 15:52
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极
2018-08-09 17:09
，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏
2009-04-25 15:43
识别这三个极对于正确使用场效应管至关重要。本文将介绍如何分别场效应管的三个极。 一、场效应管的基本原理 1.1
2024-07-14 09:14
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于模拟和数字电路中。场效应管的工作原理是通过改变栅源
2024-07-14 09:16
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况下，场效
2023-11-23 09:13
