U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS — 漏源击穿电压。是
2009-04-25 15:43
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向
2024-01-30 11:38
场效应管（Field-EffectTransistor）也是一种具有PN结结构的半导体器件，简称FET，它与三极管的不同之处在于它是电压控制器件。通过改变栅极的
2020-12-01 17:36
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的
2011-06-08 10:43
，场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚
2020-07-10 14:51
`请问场效应管是不是电压控制器件？`
2019-08-22 15:57
很多应用中，甚至可以直接贴换三极管。1概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管
2021-07-14 06:38
VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发
2021-05-13 06:40
场效应管si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有
2017-12-09 18:46
场效应管的作用：放大、调制、谐振和作开关用，场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断：把数字万用表打到二极
2012-05-04 09:51
