1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．
2021-05-13 07:42
场效应管与双极型三极管的比较
2012-08-20 08:46
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出
2011-06-08 10:43
互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极 用
2021-05-13 06:55
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流
2021-05-13 06:40
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换
2019-05-29 06:18
场效应管的作用：放大、调制、谐振和作开关用，场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断：把数字万用表打到二极管档，用万用表任意触碰
2012-05-04 09:51
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代
2021-05-13 06:13
栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)极限参数 漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿
2008-08-12 08:39
结构组成的，这种结构的场效应管称为Venical-MOSFET，简称VMOS。其典型结构、等效电路及电路符号如图1所示，它是一种垂直导电的双扩散MOS结构，在源极与漏极之间有一层0.1μm左右的氧化膜
2018-01-29 11:04
