场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N沟道场
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应管（P-Channel Field Ef
2024-09-23 16:38
载流子。P型MOSFET在半导体中产生带正电荷的空穴，此时为P型（P沟道）参杂，在P型MOSFET中空穴为多数载流子，电
2023-02-11 14:36
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N
2023-02-02 16:26
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确
2024-08-13 17:08
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于
2024-09-23 17:12
和P沟道场效应管，场效应管也有三个极，分别为：栅极G、漏极D和源极S。场效应管也有三个工作区间：可变电阻区、饱和区（恒流区）和截止区，对于
2021-01-15 15:33
的基本原理及实例说明 场效应管是电压型控制元件，场效应管也分N沟道场效应管和P沟道场效应管，
2021-03-15 15:12
