本文探讨了鳍式场效应晶体管的结构、它们在各种应用中的用途，以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。 什么是鳍式场效应晶体管？ 鳍式场效应晶体管是一种晶体管。作为
2023-02-24 15:25
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46
。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应
2019-05-08 09:26
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10
电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，场效应晶体管工作良好，而输入电压降低
2019-04-16 11:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑 MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08
才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应晶体管放大才能的重要参数。（5）漏源击穿电压漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压
2019-04-04 10:59
我想了解互补场效应晶体管点火和只用一个场效应晶体管点火与 PWM 的区别？
2024-05-21 07:24
分为增强型和耗尽型，这两种电子元器件工作原理略有不同，增强型管在栅极（G）加上正向电压时漏极（D）和源极（S）才能导通，而耗尽型即使栅极（G）没加正电压，漏极（D）和源极（S）也是导通的。其实到这场效应晶体管
2019-04-15 12:04
