离子注入后退火是半导体器件制造中的一个关键步骤，它影响着器件的性能和可靠性。 离子注入是将掺杂剂离子加速并
2025-01-02 10:22
本文简单介绍了离子注入工艺中的重要参数和离子注入工艺的监控手段。 在硅晶圆制造过
2025-01-21 10:52
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深
2023-05-08 11:19
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的
2023-12-21 16:38
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片
2023-06-30 16:41
