电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特
2019-05-06 05:00
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的
2018-10-25 16:01
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特
2019-03-27 06:20
“导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。关于MOSFET，将再次详细介绍。IGBT为双极晶体管与MOSFET的复合结构。是为了利用MOSFET和双极晶体管
2018-11-28 14:29
电路 图4.基本NPN晶体管开关电路 该电路类似于共发射极电路。不同之处在于，我们需要将晶体管完全打开（饱和）或完全关闭（切断）才能将其作为开关运行。 理想的
2023-02-20 16:35
（RDS（on））。理想情况下，所选器件应均匀匹配，以确保静态电流在并联晶体管之间平均分配。其次，在动态开关过程中，如果晶体管
2021-01-19 16:48
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包
2023-02-03 09:36
的集电极除被控对象外，没有连接任何其他的电路或元件，因此也将晶体管的这种连接方式称为集电极开路。另外，在晶体管开关电路中，晶体管
2017-03-28 15:54
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作
2021-10-29 09:25
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量
2020-06-09 07:34
