俺已经用国外品牌的电容及电阻造了马兰士型号7的胆前置，现在用全部都是国产的电容/电阻造马7，关键是国内生产商没有像国外的有规格书，导致我电脑元件库内的元器件都是国外的。现请教各位师兄师姐们有否国内生产商的电容/电阻相关渠道，可让我咨询一下他们。谢谢了！
2025-03-17 08:20
谐振器促隐形超材料突破 概念股有望全面爆发 据媒体报道，近日美国爱荷华州立大学工程师研发了一种柔性、可伸缩的超材料外层（Meta-skin），声称能够帮助物体躲过雷达的侦察，并有望被用来制作隐形斗篷
2016-04-28 18:20
不懂单片机，最近公司一个外单要转到国内生产，发了一个后缀名是.elf的烧录文件，请问这个怎么烧录？要用什么软件打开？又要用什么样的烧录器？ 芯片是赛普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
的生产厂家并不多，在２８纳米以上线宽的时代，日本的佳能和尼康都能制造（对，就是造单反相机的那个佳能和尼康），但是ＩＣ制程工艺进步到十几纳米以下时，佳能和尼康就落后了，基本退出了光刻机市场。目前，世界上唯一
2018-06-13 14:40
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
XX nm制造工艺是什么概念？为什么说7nm是物理极限？
2021-10-20 07:15
单片机的8个常用概念
2021-03-29 06:25
