，所以光刻机就选择了改变光源，用13.5nm波长的EUV取代193nm的DUV光源，这样也能大幅提升光刻机的分辨率。 在上世纪90年代后半期，大家都在寻找取代193nm光刻
2020-07-07 14:22
据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复
2021-07-29 09:36
把被摄物体的影像复制到底片上。 而ASML光刻机在做的光刻，我们称之为微影制程，原理是将高能雷射光穿过光罩（reticle），将光罩上的电路图形透过聚光镜（projectionlens），将影像缩小
2020-09-02 17:38
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
芯片任重而道远。2.国内单片机芯片：晶圆硅提纯时需要旋转，然后进行切割成晶圆。晶圆加工的过程有点繁琐。首先在晶圆上涂一层感光材料（见光融化），光刻机提供精准的光线，在感光材料上刻出图案，让底下的晶圆裸露出
2018-09-03 16:48
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备等。以上是今日Enroo关于晶圆制造工艺及半导体设备的相关分享。
2018-10-15 15:11
哪些市场信息？ 晶圆代工厂不惜重金 在制造工艺演进到10nm之后，晶圆厂都在为摩尔定律的继续前进而做各种各样的努力，EUV则是被看作的第一个倚仗。而从EUV光刻机ASML的财务数据我们可以看到，其
2020-02-27 10:42
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移
2018-08-23 11:56
