，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个
2020-07-07 14:22
的一部分，目前正在对其进行测试，该设备可确保生产350nm的芯片。什帕克还指出，到2026年将获得130nm的国产光刻机，下一步将是开发90
2024-05-28 15:47
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38
目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外
2022-07-10 14:53
光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理
2024-03-21 11:31
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
12 月 3 日消息 据 Omdia 研究报告，28nm 将在未来 5 年成为半导体应用的长节点制程工艺。 在摩尔定律的指引下，集成电路的线宽不断缩小，基本上是按每两年缩小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02
SRAM存储单元的写裕度(WM)。同时,可以优化SRAM存储单元的抗PVT波动能力,并且可以降低SRAM存储单元的最小操作电压。 基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为
2020-04-01 14:32
