1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS
2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有500V的漏极-源极电压（VDS）和14A的漏极电流（ID
2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
法国LEUKOS公司超紧凑型微芯片激光器超紧凑型微芯片激光器基于固态、二极管泵浦和被动Q开关激光器。凭Leukos的独有专利设计，激光器可以产生1064 nm或532
2024-07-17 11:33 上海屹持光电技术有限公司 企业号
1310nm SOA半导体光放大芯片COC见合八方1310nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片系列专为高增益，高功率，低偏振和宽谱SOA模块而设计，符合GR-468-
2022-05-25 00:31 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
GD32F103RCT6: 国产单片机新力军 GD32F103RCT6是国产半导体公司国民技术(GigaDevice)推出的一款32位ARM Cortex-M3内核单片机。作为GD32系列
2024-04-09 23:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极
2024-07-06 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
1310nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1310nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片系列具有高增益，高功率，低偏振和宽谱等优点，符合GR-468-CO
2022-05-23 21:34 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介14NM65N-VB TO220F 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用平面（Plannar）技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻，适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路
2024-07-06 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、260mΩ@VGS=10V
2024-07-06 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
