影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44
深反应离子刻蚀工艺，是实现高深宽比特性的重要方式，已成为微加工技术的基石。这项刻蚀技术在众多领域均得到了应用：1)MEMS电容式惯性传感器；2) 宏观设备的微型化；3) 三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺。
2020-10-09 14:17
本文开始介绍了什么是电弧和电弧的组成部分。其次介绍了电弧的分类，最后阐述了电弧发生的条件及分析了电弧打火机能否电死人。
2018-02-06 09:36
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示，在5 μm
2022-05-11 15:46
双向可控硅作为一种半导体器件，目前已经得到了广泛的运用。本文以双向可控硅为中心主要介绍了双向可控硅四象限触发方式以及双向可控硅
2017-12-15 13:24
随着科技的进步，超声波清洗机作为一种高效、绿色的清洗工具，在各个领域被广泛应用。特别是在工业和生活中，超声波清洗机以其独特的优势，能够解决很多传统方法难以清洗的细小颗粒、深孔和复杂结构的产品。那么
2025-05-19 17:14 科伟达超声波清洗设备 企业号
随着当前对更快、更小和非易失性电子产品的需求不断增加，传统的硅基半导体器件正被推向更小的尺寸。近年来，2D范德华(vdW)多铁隧道结(MFTJ)器件因其重要的多功能技术应用脱颖而出，它结合了磁性隧道
2023-08-25 14:25
目前，许多客户使用可调光芯片SSL2101/SSL2102/SSL2103来做可控硅调光LED驱动电路。考虑到多灯的调光兼容性有别于单灯，所以有必要找出影响多灯并联调光兼容性的因素，提供最简单易实现的解决方案。
2019-12-05 15:42
集成电路及其封装是典型的由名种材料构成的复合结构体系，也是典型的多物理场耦合系统。在封装技术发展的早期，多物理场赮合效应较弱，电设计与热机械可靠性设计通常是独立进行的，以降低设计难度。如今，集成电路
2023-05-17 14:24
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11
